Skorzystaj ze wzoru na współczynnik wypełnienia ogniwa $FF=\frac{I_{max}\cdot U_{max}}{I_{z}\cdot U_{o}}$.

$P_{max}=I_{max}\cdot U_{max}=FF\cdot I_{z}\cdot U_{o}=9,9\hspace{2mm}\textrm{W}$

W półprzewodniku typu n elektrony i dziury mogą powstawać w taki sam sposób, jak w czystym krzemie.

Elektron związany może uzyskać energię od drgających atomów sieci krystalicznej i uwolnić się z wiązań międzyatomowych, stając się elektronem swobodnym. Po oderwanym elektronie pozostaje dziura. W temperaturze pokojowej zdarza się to na tyle rzadko, że dziur jest bardzo mało.

Zastanów się, jaki jest skutek rekombinacji swobodnych elektronów i dziur, które przeszły w wyniku dyfuzji na drugą stronę złącza.

W każdym z półprzewodników p i n przed ich połączeniem całkowity ładunek równy jest zeru, ponieważ zawierają tyle samo ujemnych elektronów, co dodatnich protonów w jądrach atomowych. Po połączeniu po stronie półprzewodnika p jest duża koncentracja dziur, a po stronie n duża koncentracja swobodnych elektronów. Na skutek zjawiska dyfuzji elektrony przepływają z półprzewodnika typu n do p, a dziury z półprzewodnika typu p do n. Po obu stronach złącza elektrony spotykają się z dziurami i dochodzi do rekombinacji. W ten sposób w obszarze złącza po stronie n zmniejsza się liczba ujemnych elektronów i pozostaje nadmiarowy ładunek dodatni. Po stronie p zmniejsza się liczba dodatnich dziur i pozostaje nadmiarowy ładunek ujemny. Całkowity ładunek złącza p‑n nadal pozostaje równy zeru.