Wróć do informacji o e-podręczniku Wydrukuj Pobierz materiał do PDF Pobierz materiał do EPUB Pobierz materiał do MOBI Zaloguj się, aby dodać do ulubionych Zaloguj się, aby skopiować i edytować materiał Zaloguj się, aby udostępnić materiał Zaloguj się, aby dodać całą stronę do teczki

Połączenie dwóch tranzystorów, w których prąd emitera pierwszego z nich jest równocześnie prądem bazy drugiego, nosi nazwę układu Darlingtona (Rys. 3.17). Układ taki zachowuje się tak, jak pojedynczy tranzystor. Cechą charakterystyczną jest duże wzmocnienie prądowe, równe iloczynowi współczynników wzmocnienia prądowego dla poszczególnych tranzystorów. Jeżeli każdy z tranzystorów charakteryzuje się wzmocnieniem prądowym β1β2, to wzmocnienie prądowe układu Darlingtona określają zależności (wyprowadzone wzory są uproszczone, nie uwzględniają prądu bazy w prądzie emitera zarówno dla T1, jak i dla T2):

β1=IC1IB1
β2=IC2IB2
IC1=β1·IB1=IB2
IC2=β2·IB2=IE2
IE2=β1·β2·IB1
RAockKZRb1Kqn
Rys.3.17 Połączenie tranzystorów w układzie Darlingtona
Źródło: Akademia Finansów i Biznesu Vistula, licencja: CC BY 3.0.

Duże wzmocnienie prądowe sprawia, że układ Darlingtona stosowany jest w miejscach, gdzie wymaga się dużych prądów. Przykładem takich układów są stabilizatory napięcia oraz końcowe wzmacniacze mocy. Ze względu na złożoną budowę, układ Darlingtona charakteryzuje się większymi spadkami napięć i mniejszą szybkością działania, niż pojedyncze tranzystory.

R1MxqG6IoC5X6
Rys. 3.18 Rozkład napięć w nasyconym tranzystorze Darlingtona
Źródło: Akademia Finansów i Biznesu Vistula, licencja: CC BY 3.0.

Wróć do spisu treściDYwCnCGuzWróć do spisu treści

Powrót do materiału głównegoDerb8l5kQPowrót do materiału głównego